GaN gyorstöltési és AI-szerverekben használatos – Útmutató a síktranszformátor kiválasztásához

Jun 12, 2026 Hagyjon üzenetet

Mivel a GaN gyorstöltők, a 48 V-os autóipari rendszerek és a mesterséges intelligencia élére szolgáló eszközök továbbra is nagyobb teljesítménysűrűséget és hatékonyságot követelnek meg, az energiatervező mérnökök közös kihívással néznek szembe: Hogyan lehet több energiát szállítani korlátozott helyen a hőmérséklet-emelkedés és az elektromágneses interferencia (EMI) szabályozása mellett? A hagyományos tekercstranszformátorok mérete, különösen a magasságuk a további miniatürizálás fő akadályává vált. Alacsony-profilszerkezetüknek, nagy teljesítménysűrűségüknek és kiváló magas-frekvenciás teljesítményüknek köszönhetően Planar Transformer ideális megoldássá váltak.

 

Miért jobbak a síktranszformátorok a nagy{0}}sűrűségű tápegységekhez?

1. Nagy-frekvenciás alkalmazásokhoz optimalizálva

A síktranszformátorok alacsony parazita paraméterekkel rendelkeznek, és jól működnek a GaN és SiC tápegységekkel, amelyek frekvenciája200 kHz-re700kHz.

A magasabb kapcsolási frekvenciák lehetővé teszik, hogy a transzformátorok kisebbek és könnyebbek legyenek.

2. Helykorlátok megoldása

Az olyan alkalmazásokban, mint az AI-szerverek, a beépített töltők (OBC-k) és a 48 V-os tápmodulok, a magasság gyakran kritikus tervezési korlát.

A síkbeli transzformátorok csak 2-es profilt képesek elérni7,4-9,0 mm, körülbelül egy-harmada a hagyományos transzformátorok magasságának.

Ezáltal az ultra{0}}vékony teljesítményű kialakítás sokkal könnyebben megvalósítható.

3. Továbbfejlesztett hő- és EMI-teljesítmény

A szorosan csatolt sík tekercsszerkezet jelentősen csökkenti a szivárgási induktivitást. Az alacsonyabb szivárgási induktivitás csökkenti a feszültségcsúcsokat és a kapcsolási veszteségeket. A mágneses magszerkezet segít elnyomni az elektromágneses interferenciát a forrásnál.

High-performance Planar transformer

Főbb alkalmazási területek

Alkalmazás Tipikus erő Ajánlott sorozat legfontosabb előnyei
GaN gyorstöltők (USB PD 3.1) 120W TP20DS 9 mm profile, >97%-os hatásfok, alacsony hőtermelés, alacsony EMI
48V-os autóipari DC/DC modulok 71–120W TP20BS / TP20DS Gépjárműipari-hőmérséklet-tartomány (-40 foktól +125 fokig), kiváló hőteljesítmény
AI Edge átjárók és szerverek 90–120W TP20CS / TP20DS Alacsony szivárgási induktivitás, alacsony EMI, alkalmas nagy sebességű{0}}processzoros tápegységekhez
Ipari kommunikáció és bázisállomások 20W TPER14 Kompakt méret, nagy megbízhatóság, ideális modul tápegységekhez
LED meghajtó tápegységek 20–120W TP14 / TP18 Nagy hatékonyság és hosszú élettartam

Alapvető előnyeiInternal structure of a 100W GaN fast charger

Ultra-alacsony profil

  • Magassága 7,4-9,0 mm
  • Körülbelül egy{0}}harmada a hagyományos megoldások magasságának

Magas Hatékonyság

  • Hatékonyság akár 97%
  • Csökkentett hőkezelési követelmények

Rendkívül alacsony szivárgási induktivitás

  • Tipikus szivárgási induktivitás: 0,15–0,5 µH
  • Alacsonyabb kapcsolási feszültség az erősáramú eszközökön

EMI{0}}barát kialakítás

  • Mágneses árnyékoló szerkezet
  • Csökkentett sugárzott kibocsátás

Széles üzemi hőmérséklet tartomány

  • -40 foktól +125 fokig
  • Alkalmas autóipari és ipari környezetben

Magas szigetelési képesség

  • 1500 VAC leválasztási feszültség
  • Megfelel a biztonsági követelményeknek

 

Tervezési támogatás: Miért válassza a SHINHOM Planar Transformert?

  • Átfogó termékportfólió
  • Rugalmas testreszabás
  • Gyors műszaki támogatás

    Kattintson a "Kérdés küldése

📧 :sales@shinhom.com
🌐 : www.shinhom.com

A szálláslekérdezés elküldése

whatsapp

Telefon

E-mailben

Vizsgálat